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RICOH ELECTRONIC DEVICES CO., LTD.

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1节锂离子电池保护IC

理光的1节锂离子/聚合物保护IC属于高精度元器件。例如:R5499系列的放电过流保护精度高达±5%。R5480/R5486/R5494系列采用外置检流电阻采样电流,其过流检测精度高于传统的使用FET管导通内阻采样电流的方案。 R5471系列拥有±10mV的超高精度过充电检测精度(0°C至50°C)。

产品名 过充电
检测阈值范围 [V]
(精度)
过放电
检测阈值范围 [V]
(精度)
放电过电流
检测阈值范围 [V]
(精度)
充电过电流
检测阈值范围 [V]
(精度)
Over-current Detector Type 消费电流
[µA]
封装 下载
R5480 4.1 to 4.5
(±20mV)
2.1 to 3.0
(±35mV)
0.030 to 0.048
(±15%)
-0.030 to -0.020
(±15%)
R 4.0 DFN(PLP)1414-6
DFN1814-6C
数据表
R5486 4.1 to 4.5
(±20mV)
2.1 to 3.0
(±35mV)
0.015 to 0.046
(±8% or ±3.1mV)
0.03 to 0.08
(±8% or ±3.1mV)
-0.060 to -0.015
(±15% or ±3mV)
R 4.0 DFN(PLP)1414-6 数据表
R5494  4.1 to 4.5
(±20mV)
2.1 to 3.0
(±35mV)
0.030 to 0.048
(±10% or ±4mV)
-0.030 to -0.020
(±15%)
R 3.0 DFN1814-6C -
R5405 4.0 to 4.5
(±25mV)
2.0 to 3.0
(±2.5%)
0.05 to 0.20
(±15mV)
-0.2 to -0.05
(±30mV)
FET 4.0 SOT-23-6
DFN(PLP)1616-6
DFN1814-6
宣传手册
R5471 4.1 to 4.5
(±10mV)
2.0 to 3.0
(±2.5%)
0.05 to 0.13
(±10mV)
-0.17 to -0.05
(±20mV)
FET 4.0 DFN1814-6 -
R5478 4.2 to 4.5,
3.65 or 3.9
(±25mV)
1.9 to 3.0
(±2.5%)
0.05 to 0.20
(±15mV)
- FET 3.0 SOT-23-6 数据表
R5487
R5497
4.2 to 4.6
(±20mV)
2.0 to 3.0
(±35mV)
0.025 to 0.15
(±5mV or ±10mV)
-0.15 to -0.02
(±10% or ±5mV)
FET 3.0 DFN1414-6B
DFN1814-6B
数据表
R5492  4.0 to 4.5
(±20mV)
2.0 to 3.0
(±2.5%)
0.05 to 0.20
(±15mV)
-0.20 to -0.05
(±15mV)
FET 4.0 SOT-23-6 数据表
R5499 4.3 to 4.6
(±12mV)
2.0 to 3.0
(±2.5%)
0.03 to 0.08
(±5mV)
-0.10 to  -0.05
(±15mV)
FET 4.0 WLCSP-6-P4 数据表
  • *1Topt=0°C至50°C:考虑参数在此温度范围内的变化。
    制造时采用激光修正来补偿各参数的温度特性。但是,以上温度范围里的参数值仅系设计保证值,而非高低温筛选实施后的实测值。

典型应用

典型应用

RSENS:由于R5480/R5486/R5494系列采用外置检流电阻R3采样电流,其过流检测精度高于传统的使用FET管导通内阻采样电流的方案。(FET管导通内阻不太稳定,因为它依赖于诸如栅极电压、温度、FET产品型号等因素。) 例如:R5499系列的放电过流保护精度高达±5%。

  • *) *)带RSENS引脚的产品: R5480, R5486, R5499

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