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リコー電子デバイス株式会社

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1セル リチウムイオン電池用保護IC

リコーの1セル保護ICは高精度で、特にR5499シリーズは放電過電流検出精度が±5%という業界トップクラスの精度を誇っています。R5480/R5486/R5494シリーズは外付け抵抗R3を使うことで、FETのON抵抗による電流検出方式と比べ、FETの温度特性・電源電圧依存性がなく、セル電圧や環境温度に依存しない安定した電流検出を実現します。また、R5471 シリーズでは、過充電検出で0°C~50°Cで±10 mVと、これも業界トップクラスの精度となっています。

製品名 過充電
検出電圧[V]
(精度)
過放電
検出電圧[V]
(精度)
放電過電流
検出電圧[V]
(精度)
充電過電流
検出電圧[V]
(精度)
電流
検出
方式 
消費
電流
[µA] 
パッケージ ダウンロード
R5405 4.0 to 4.5
(±25mV)
2.0 to 3.0
(±2.5%)
0.05 to 0.20
(±15mV)
-0.20 to -0.05
(±30mV)
FET 4.0 SOT-23-6
DFN(PLP)1616-6
DFN1814-6
データシート
R5471 4.1 to 4.5
(±10mV)
2.0 to 3.0
(±2.5%)
0.05 to 0.13
(±10mV)
-0.17 to -0.05
(±20mV)
FET 4.0 DFN1814-6 -
R5487
R5497
4.2 to 4.6
(±20mV)
2.0 to 3.0
(±35mV)
0.025 to 0.15
(±5mV or ±10mV)
-0.15 to -0.02
(±10% or ±5mV)
FET 3.0 DFN1814-6
DFN1414-6
データシート
NEW
R5492
4.0 to 4.5
(±20mV)
2.0 to 3.0
(±2.5%)
0.05 to 0.20
(±15mV)
-0.20 to -0.05
(±15mV)
FET 4.0 SOT-23-6 データシート
R5499 4.3 to 4.6
(±12mV)
2.0 to 3.0
(±2.5%)
0.03 to 0.08
(±5mV)
-0.10 to  -0.05
(±15mV)
FET 4.0 WLCSP-6-P4 データシート
R5480 4.1 to 4.5
(±20mV)
2.1 to 3.0
(±35mV)
0.030 to 0.048
(±15%)
-0.030 to -0.020
(±15%)
R 4.0 DFN(PLP)1414-6
DFN1814-6
データシート
R5486 4.1 to 4.5
(±20mV)
2.1 to 3.0
(±35mV)
0.015 to 0.046
(±8% or ±3.1mV)
0.03 to 0.08
(±8% or ±3.1mV)
-0.060 to -0.015
(±15% or ±3mV)
R 4.0 DFN(PLP)1414-6 データシート
R5494 4.1 to 4.5
(±20mV)
2.1 to 3.0
(±35mV)
0.021 to 0.048
(±10% or ±4mV)
-0.030 to -0.020
(±15%)
R 3.0 DFN1814-6 -

基本回路例

基本回路例

RSENS:過電流センス端子
外付け抵抗R3により、FETのON抵抗による電流検出方式と比べ、FETの温度特性・電源電圧依存性がなく、セル電圧や環境温度に依存しない安定した電流検出を実現します。(R5499の過電流検出電圧精度: ±5%)

  • *) RSENS端子のある製品:R5480, R5486, R5499

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